متن خبر :
شرکت صنایع نیمه‌هادی تایوان TSMC قصد دارد برای فرآیندهای پیشرفته ۱.۴ نانومتری و ۱ نانومتری خود به جای استفاده از دستگاه‌های بسیار گران‌قیمت لیتوگرافی فرابنفشHigh-NA EUV ، از پِلیکل‌های فوتومسک (photomask pellicles) استفاده کند. این تصمیم نشان‌دهنده یک تغییر راهبرد فنی مهم در مواجهه با هزینه‌های سرسام‌آور تجهیزات نسل جدید است.
به گزارش بخش صنایع نیمه هادی رسانه اخبار تکنولوژی و فناوری تکنا، درحالی‌که فرآیند جدید ۲ نانومتری می‌تواند همچنان با دستگاه‌های EUV فعلی به تولید انبوه با بازدهی بالا ادامه دهد اما حرکت به سمت گره‌های زیر ۲ نانومتر مانند ۱.۴ نانومتر (A14) و ۱ نانومتر (A10) این غول تایوانی را با موانع جدی تولید مواجه خواهد کرد. اگرچه این چالش‌ها با خرید ماشین‌آلات پیشرفته High-NA EUV از شرکت ASML قابل حل است اما TSMC ظاهراً مسیر جایگزین را انتخاب کرده است.
انتظار می‌رود استفاده از پلیکل‌های فوتومسک هزینه بسیار کمتری نسبت به خرید هر دستگاه High-NA EUV چهارصد میلیون دلاری داشته باشد. با این حال به نظر می‌رسد این شرکت برای بهبود قابلیت اطمینان تولید با این روش جدید ناچار به رویکرد آزمون و خطا خواهد بود. تولید تمام‌عیار ویفرهای ۲ نانومتری قرار است تا پایان سال ۲۰۲۵ آغاز شود و پس از آن TSMC به سمت گره ۱.۴ نانومتری حرکت خواهد کرد.
تولید فرآیند ۱.۴ نانومتری احتمالاً در سال ۲۰۲۸ آغاز می‌شود. TSMC قبلاً با سرمایه‌گذاری اولیه هنگفت ۱.۵ تریلیون دلار تایوان یا تقریباً ۴۹ میلیارد دلار آمریکا پایه‌های این گذار را بنا نهاده است. تحقیق و توسعه فرآیند ۱.۴ نانومتری در کارخانه هسینچو (Hsinchu) آغاز شده و ۳۰ دستگاه EUV نیز برای این منظور خریداری شده است.
تصمیم برای عدم خرید دستگاه‌های High-NA EUV از ASML احتمالاً به این دلیل است که TSMC معتقد است ارزش دلاری این سخت‌افزار با ارزش واقعی آن برابری نمی‌کند. این تجهیزات گران‌قیمت اگرچه قابلیت اطمینان در تولید ویفرهای ۱.۴ و ۱ نانومتری با بازدهی بالاتر را تضمین می‌کنند اما با محدودیت‌های جدی در عرضه مواجه هستند.
گفته می‌شود ASML سالانه تنها می‌تواند بین پنج تا شش دستگاه High-NA EUV تولید کند. از سوی دیگر TSMC برای پاسخگویی به تقاضای فزاینده مشتریان خود از جمله اپل به خرید ۳۰ دستگاه استاندارد EUV اقدام کرده است. بنابراین صرف هزینه گزاف برای تعداد محدودی دستگاه نمی‌تواند اهداف بلندمدت این شرکت را محقق سازد.
فرآیندهای زیر ۲ نانومتر الزاماً باید از پلیکل استفاده کنند. پلیکل لایه‌ای است که از آلوده شدن فوتومسک توسط گرد و غبار و سایر ذرات در طول فرآیند تولید جلوگیری می‌کند. استفاده از این روش با دستگاه‌های EUV استاندارد چالش‌هایی نیز به همراه دارد.
برای تولید ویفرهای ۱.۴ و ۱ نانومتری با دستگاه‌های استاندارد به نوردهی بیشتری نیاز است. این بدان معناست که فوتومسک باید به دفعات بیشتری استفاده شود که این امر می‌تواند بازدهی تولید را به خطر بیندازد. در طول این مراحل استفاده از پلیکل‌ها برای جلوگیری از ورود ذرات آلاینده به مرحله ساخت ویفر کاملاً ضروری خواهد بود.
Source link